机译:集成了电吸收调制器和分布式布拉格反射器的有源锁模应变InGaAsP多量子阱激光器
机译:使用应变补偿层的新型偏振不敏感的1.55- / spl mu / m InGaAsP-InGaAsP多量子阱电吸收调制器
机译:偏振无关的InGaAsP / InGaAsP MQW波导电吸收调制器
机译:通过选择性区域外延生长的InGaAs / InGaAsP MQW电吸收调制器集成了DFB-LD结构
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:Gaas中的电吸收及其在波导探测器和调制器中的应用。